特許
J-GLOBAL ID：200903018406381503
高抵抗化合物半導体層とその結晶成長法,及び該高抵抗化合物半導体層を用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-016064
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263365
出願日： 1995年02月02日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 光デバイス及び電子デバイスの高抵抗層として用いたときに、不純物拡散によるデバイス特性の劣化を招くことのない,高抵抗化合物半導体層、及びこれをMOCVD法により、再現性良く結晶成長させることができる高抵抗化合物半導体層の結晶成長法を得る。【構成】 Inを含む有機金属、Alを含む有機金属、Asを含む水素化合物を原料とし、MOCVD法により所定の低温度で気相成長させ、得られるAlInAs混晶のフェルミ準位をその禁制帯のほぼ中央に位置させる濃度の炭素を該AlInAs混晶中に取り込ませる。
請求項（抜粋）：
異なる組成の化合物半導体層を積層してなる半導体装置における高抵抗化合物半導体層において、Inを含む有機金属、Alを含む有機金属、Asを含む水素化合物または有機金属を原料として気相成長させた化合物半導体混晶からなり、該化合物半導体混晶中には、該化合物半導体混晶のフェルミ準位をその禁制帯のほぼ中央に位置させる濃度の,p型不純物が含まれていることを特徴とする高抵抗化合物半導体層。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 25/00
, C30B 29/40 502
, H01S 3/18
