特許

J-GLOBAL ID：200903018408129313

半導体圧力センサ

発明者： 酒井 峰一
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260247
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112510
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 より小型化を図るとともに回路の保護膜を必要としない半導体圧力センサを提供することにある。【構成】 P- 型単結晶シリコン基板14の表面には、シリコンよりなるダイヤフラム21が配置されている。このP- 型単結晶シリコン基板14の表面とダイヤフラム21とにより圧力基準室R1が形成されている。圧力基準室R1内におけるダイヤフラム21には、ピエゾ抵抗層としてのP+ 拡散層10が形成されている。圧力基準室R1内おいてP- 型単結晶シリコン基板14の表面には、バイポーラトランジスタ15等よりなる集積回路が形成され、集積回路はP+ 拡散層10と電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に配置された、半導体よりなるダイヤフラムと、前記ダイヤフラムに形成されたピエゾ抵抗層と、前記半導体基板の表面と前記ダイヤフラムとにより形成された圧力基準室において前記半導体基板の表面に形成され、前記ピエゾ抵抗層と電気的に接続された集積回路とを備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭54-013782
  
• 特開昭61-187280