特許
J-GLOBAL ID:200903018411517561
ピンホールの少ない銅箔の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
奥村 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-028353
公開番号(公開出願番号):特開平10-211588
出願日: 1997年01月27日
公開日(公表日): 1998年08月11日
要約:
【要約】【課題】 ピンホールの少ない銅箔の製造方法を提供する。【解決手段】 再結晶温度が常温域である金属で構成された電気メッキ層を具備する銅箔地を二枚準備する。電気メッキ層を構成する金属としては、錫,鉛,錫-鉛合金等が用いられる。各銅箔地の電気メッキ層同士が当接するようにして、二枚の銅箔地を重合する。この重合した銅箔地に冷間圧延を施す。冷間圧延は、比較的低圧下荷重で行うことができる。このような冷間圧延によって、当接している電気メッキ層は溶融一体化し、二枚の銅箔地も接合一体化する。
請求項(抜粋):
再結晶温度が常温域である金属で構成された電気メッキ層を具備する銅箔地を二枚準備し、該二枚の銅箔地の電気メッキ層同士が当接するようにして、該二枚の銅箔地を重合した後、冷間圧延を施して、当接している電気メッキ層同士を溶融一体化することを特徴とするピンホールの少ない銅箔の製造方法。
IPC (7件):
B23K 20/04
, B21C 37/02
, B23K 20/00 360
, C25D 3/30
, C25D 3/34
, C25D 3/56
, C25D 7/06
FI (7件):
B23K 20/04 F
, B21C 37/02 B
, B23K 20/00 360 C
, C25D 3/30
, C25D 3/34
, C25D 3/56 Z
, C25D 7/06 A
引用特許:
出願人引用 (3件)
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特開平4-172189
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特開平1-180706
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特開昭62-081282
審査官引用 (6件)
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