特許
J-GLOBAL ID：200903018412392126
半導体センサの製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-005272
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200128
出願日： 1997年01月16日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】揺動部を備える半導体基板をガラス基板に陽極接合により接合する工程を含む半導体センサの製造方法において、揺動部を接合することなく、所定箇所のみを的確に接合すること。【解決手段】ホットプレート18上にガラス基板12及びシリコン基板13を配設する。制御回路22により開閉制御されるスイッチ23を介して直流電源19を接続する。スイッチングにより形成されるパルス電圧を両基板12,13間に印加する。このとき、パルス電圧の各印加時間幅を重り部15の共振周期の4分の1未満に設定し、同パルス電圧の印加周期を重り部15の共振周期以上に設定する。
請求項（抜粋）：
揺動可能な揺動部を備えた半導体基板を、ガラス基板に陽極接合により接合し、前記揺動部と前記ガラス基板との間に所定のクリアランスを形成する半導体センサの製造方法であって、前記揺動部の振動が維持されるように、電圧値の変化を伴う電圧を前記両基板間に印加することを特徴とする半導体センサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/84 A
, H01L 29/84 Z
, G01P 15/125
