特許

J-GLOBAL ID：200903018416165230

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 伊集院 誠司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-349200
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151790
出願日： 2000年11月16日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 リッジ部の傾斜面における角度が異なる場合でも、光出力分布の偏りを抑制すること。【解決手段】 本発明は、第1のクラッド層10と、第1のクラッド層10上に形成される活性層30と、活性層30上に形成されリッジ部を有する第2のクラッド層40とを備える半導体レーザ1であり、第2のクラッド層40におけるリッジ部の2つの傾斜面G,Sの長さが各々異なるものである。

請求項（抜粋）：

第1クラッド層と、前記第1クラッド層上に形成される活性層と、前記活性層上に形成されリッジ部を有する第2クラッド層とを備える半導体レーザにおいて、前記第2クラッド層におけるリッジ部の2つの傾斜面の長さが各々異なることを特徴とする半導体レーザ。

Fターム (9件)：

5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA23 ,  5F073DA35 ,  5F073EA16