特許

J-GLOBAL ID：200903018421411656

低温焼結誘電体磁器の製造方法

発明者： 野寄 佳成 ,  鈴木 靖生
出願人/特許権者： 富士電気化学株式会社
代理人 (1件)： 茂見 穰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066979
公開番号（公開出願番号）：特開平8-239263
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】 内部電極材を含んだ構造の各種の誘電体部品を低温(内部電極材に損傷を与えない温度)で焼結でき、比誘電率の変動が少ないために調整が容易で、且つ高誘電率を呈する誘電体磁器を製造する。【構成】 仮焼済みのBaO-TiO2 -Nd2 O3 系の高誘電率材料に、ガラス材料を3〜20容積%添加し、粉体の平均粒径を0.1μm以下に調整して、880〜1000°Cで焼成して相対密度を95%以上にする。高誘電率材料は、主成分としてBaOが10〜16モル%、TiO2 が67〜72モル%、Nd2O3 が16〜18モル%の組成を有し、副成分としてBi2 O3 を7〜10重量%、Al2 O3 を0.3〜1.0重量%含有するものである。ガラス材料は、ZnOが45〜70重量%、B2 O3 が5〜13重量%、SiO2 が7〜40重量%、Al2 O3 が8〜20重量%の組成である。

請求項（抜粋）：

主成分としてBaOが10〜16モル%、TiO2 が67〜72モル%、Nd2 O3 が16〜18モル%の組成を有し、それに対し副成分としてBi2 O3 を7〜10重量%、Al2 O3 を0.3〜1.0重量%含有している仮焼済みのBaO-TiO2 -Nd2 O3 系の高誘電率材料に、ZnOが45〜70重量%、B2 O3 が5〜13重量%、SiO2 が7〜40重量%、Al2 O3 が8〜20重量%である組成の既にガラス化されている材料を、前記BaO-TiO2 -Nd2 O3 系の高誘電率材料に対して3〜20容積%添加し、粉体の平均粒径を0.1μm以下に調整して、880〜1000°Cで焼成し相対密度を95%以上にすることを特徴とする低温焼結誘電体磁器の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 311 ,  H01P 7/10

FI (3件)：

C04B 35/46 C ,  H01B 3/12 311 ,  H01P 7/10