特許

J-GLOBAL ID：200903018423780241

堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置

発明者： 小池 淳 ,  青田 幸人 ,  金井 正博 ,  須貝 浩士
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091199
公開番号（公開出願番号）：特開2001-279455
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：

【要約】【課題】大面積にわたって高品質で優れた均一性を有するアモルファスシリコン系堆積膜を、高速で成膜することが可能な堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置を提供する。【解決手段】排気手段を備えた真空容器内に放電電極を設け、水素ガスおよび少なくともSi元素を含有する堆積膜の原料ガスを供給し、前記放電電極に高周波電力を供給して前記原料ガスをブラズマ化し、前記真空容器内の基板上にプラズマCVD法により堆積膜を形成する堆積膜形成方法または装置において、前記真空容器内のプラズマ中に補助電極を配置し、該補助電極に周期的に変動する電圧を放電を起こすことなく印加し、堆積膜を形成するように構成する。

請求項（抜粋）：

排気手段を備えた真空容器内に放電電極を設け、水素ガスおよび少なくともSi元素を含有する堆積膜の原料ガスを供給し、前記放電電極に高周波電力を供給して前記原料ガスをプラズマ化し、前記真空容器内の基板上にプラズマCVD法により堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記真空容器内のプラズマ中に補助電極を配置し、該補助電極に周期的に変動する電圧を放電を起こすことなく印加し、堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 31/04 V

Fターム (38件)：

4K030AA06 ,  4K030BA30 ,  4K030FA03 ,  4K030JA17 ,  4K030JA18 ,  4K030KA15 ,  4K030KA19 ,  4K030KA46 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD07 ,  5F045AE21 ,  5F045AF10 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20 ,  5F045EK07 ,  5F045GB08 ,  5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051CA07 ,  5F051CA16 ,  5F051CA23 ,  5F051CA34 ,  5F051DA04 ,  5F051GA02