特許

J-GLOBAL ID：200903018424859453

マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法

発明者： 大森 真二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-386577
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188079
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】応力制御されたパターン精度の高いマスクおよびその製造方法と、微細パターンを高精度に転写できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】マスクの材質、構造およびパターンのデータを用いて内部応力分布を計算し、初期内部応力とする工程と、マスクの内部応力が力学的平衡状態をとるためにマスク上の複数の計算点が移動する変位量を計算し、計算点の変位量の平均値が最小となる最適初期内部応力を求める工程と、各計算点で最適初期内部応力と初期内部応力の差を求め、予め調べられた不純物添加量と応力変化との関係に基づき、差をなくすような所定の不純物添加量を求める工程と、薄膜に透過部と遮断部を形成する工程と、空間分布を持たせた所定の不純物添加量で薄膜に不純物を添加する工程とを有するマスクの製造方法、それにより作製されるマスク、およびそのようなマスクを用いる半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

荷電粒子線または電磁波の透過部と遮断部が所定のパターンで形成されている薄膜を有し、前記薄膜の内部応力による前記パターンの変位を小さくするように、前記薄膜に不均一に不純物が添加されているマスク。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 504

FI (4件)：

G03F 1/16 B ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/30 531 M

Fターム (11件)：

2H095BA01 ,  2H095BA08 ,  2H095BC27 ,  2H095BC30 ,  2H097CA16 ,  2H097GB00 ,  2H097LA10 ,  5F046GD05 ,  5F046GD10 ,  5F046GD13 ,  5F056FA05