特許

J-GLOBAL ID：200903018432591800

エッチング方法

発明者： 藤本 究
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-228418
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006575
出願日： 2002年08月06日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】エッチング対象部のエッチングレートおよび対マスク選択比が高く、かつ、エッチングストップを抑えたプラズマエッチング方法を提供すること。【解決手段】直鎖C5F8を含むエッチングガスをプラズマ化して、被処理体W中のエッチング対象部、例えばSiO2層61を、エッチング対象部を覆った開口部を有するマスク、例えばフォトレジストマスク層62を介してプラズマエッチングする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

直鎖C5F8を含むエッチングガスをプラズマ化して、被処理体中のエッチング対象部をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 101B

Fターム (15件)：

5F004AA02 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BB22 ,  5F004BB29 ,  5F004BC06 ,  5F004BD03 ,  5F004CB09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07