画面入力機能付き画像表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小野寺洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-318356
公開番号（公開出願番号）：特開2008-134293
出願日： 2006年11月27日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】画素の開口率を下げることなく直接画面入力を可能とした画面入力機能付き画像表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示パネルの画面上から入射した光を受ける光検出TFT61と、ブラックマトリクスなどで遮光され、液晶表示パネルの画面上から入射した光を受けないスイッチTFT60を直列接続して構成される。光検出TFT61のソース電極に、保持容量CSTおよび液晶素子の画素電極を接続する。液晶素子は容量CLCで表記されている。光検出TFT61のゲート電極にはセンサ制御線140が、スイッチTFT60のゲート電極にはゲート線120が接続されている。スイッチTFT60のドレイン電極にデータ線110が接続され、保持容量CSTの一端にストレージ線150が接続され、画像信号が液晶素子(CLC)の画素電極(ITO)に供給される。また、光検出TFT61は、感光して生じた光電流Isigをデータ線110を通じてセンサ信号処理回路(図1参照)に伝送する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

絶縁基板に形成される画面の画素領域に対するタッチ操作で情報を入力する画面入力機能付き画像表示装置であって、前記絶縁基板の主面で、前記画面を構成する複数の画素からなる画素領域における当該各画素のそれぞれに、前記画素面側からの光の照射から遮蔽される第1の薄膜トランジスタと、第1の薄膜トランジスタに直列接続されて前記光の照射を受ける第2の薄膜トランジスタとを備え、前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極に接続されたゲート線と、前記第2の薄膜トランジスタのゲート電極に接続されたセンサ制御線と、前記第1の薄膜トランジスタのドレイン電極又はソース電極に接続されたデータ線と、前記第2の薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極に一方の電極が接続された保持容量、および該保持容量と並列に接続される画素の一方の電極が接続された画素電極とを有し、前記画素による画像表示期間とは異なる期間に、前記センサ制御線から印加されるセンス期間選択信号で前記第2の薄膜トランジスタをオンとし、該第2の薄膜トランジスタが感光したことによる光電流を電荷として前記保持容量に蓄積し、前記蓄積電荷を前記第1の薄膜トランジスタを通して光検出電流として前記データ線に読み出し、電圧変換して前記タッチ操作の検知信号とすることを特徴とする画面入力機能付き画像表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 , G09F 9/00 , G09F 9/30 , G06F 3/041

FI (4件)：

G02F1/1368 , G09F9/00 366A , G09F9/30 338 , G06F3/041 320A

Fターム (31件)：

2H092GA13 , 2H092GA24 , 2H092GA62 , 2H092HA04 , 2H092JA24 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB42 , 2H092JB52 , 2H092NA07 , 2H092NA25 , 2H092NA26 , 2H092PA01 , 2H092PA06 , 2H092PA08 , 2H092PA09 , 2H092PA11 , 5B087AA03 , 5B087CC24 , 5B087CC33 , 5C094AA54 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094DB01 , 5C094FB19 , 5G435AA06 , 5G435BB05 , 5G435BB12 , 5G435EE49 , 5G435HH13

引用特許：

出願人引用 (1件)

光感知素子と、これを有するアレイ基板及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-306764 出願人：三星電子株式会社

前のページに戻る