特許
J-GLOBAL ID:200903018449693088
高気圧マイクロ波放電成膜方法及びその装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
清水 守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-014591
公開番号(公開出願番号):特開2002-212709
出願日: 2001年01月23日
公開日(公表日): 2002年07月31日
要約:
【要約】【課題】 CVDが主体であったマイクロ波の成膜方法に代えて、マイクロ波電力を蒸発及び蒸気とガスとの反応にも活用し、成膜を可能にする高気圧マイクロ波放電成膜方法及びその装置を提供する。【解決手段】 同軸電極配位の内部導体6及び外部導体7と、雰囲気のガスが封入された放電チャンバー1を備え、高温に加熱されて発した内部導体金属が、反応性プラズマと化学反応を起こして薄膜を形成する。
請求項(抜粋):
同軸電極配位の内部導体及び外部導体と、雰囲気のガスが封入された放電チャンバー内で、高温に加熱されて発した内部導体金属が、反応性プラズマと化学反応を起こして薄膜を形成することを特徴とする高気圧マイクロ波放電成膜方法。
IPC (8件):
C23C 14/24
, B01J 19/08
, B01J 19/12
, C01B 31/02 101
, C08J 7/06 CEY
, C23C 14/32
, C30B 29/04
, C08L 33:00
FI (8件):
C23C 14/24 M
, B01J 19/08 H
, B01J 19/12 G
, C01B 31/02 101 F
, C08J 7/06 CEY A
, C23C 14/32 B
, C30B 29/04 E
, C08L 33:00
Fターム (33件):
4F006AA22
, 4F006AB73
, 4F006BA07
, 4F006CA08
, 4F006DA01
, 4G046CB03
, 4G046CC06
, 4G075AA24
, 4G075BA05
, 4G075BC01
, 4G075BD14
, 4G075CA26
, 4G075CA47
, 4G075FC13
, 4G077AA03
, 4G077BA03
, 4G077DB19
, 4G077EA05
, 4G077EG30
, 4K029AA11
, 4K029BA34
, 4K029BA44
, 4K029BA48
, 4K029BA55
, 4K029BA58
, 4K029BA60
, 4K029BB01
, 4K029CA02
, 4K029DA01
, 4K029DB03
, 4K029DB05
, 4K029DB17
, 4K029EA03
引用特許:
引用文献:
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