特許
J-GLOBAL ID：200903018450911340
マーク率変動対応バイアス電圧制御回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-207549
公開番号（公開出願番号）：特開平11-052310
出願日： 1997年08月01日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】本発明はマッハツェンダ型光強度変調器を外部変調器として用いた光出力強度変調光送信器に使用でき、特に光送信器のαパラメータ正負符号変換時でもマーク率に対応した制御目標値を設定し、マッハツェンダ型光強度変調器出力光を安定に制御するのに好適なマーク率変動対応バイアス電圧制御回路に関する。【解決手段】αパラメータ正負符号に応じて変わる制御対象値の変化の傾きと制御目標値の変化の傾きとを常に合致させる制御目標値選択回路1をマッハツェンダ駆動回路7とバイアス電圧制御回路11間に設けたことを特徴とするマーク率変動対応バイアス電圧制御回路。
請求項（抜粋）：
マッハツェンダ型光強度変調素子とその光出力を分岐して出力光を検出する受光器を内蔵するマッハツェンダ型光強度変調器と、マッハツェンダ型光強度変調器に入力する直流光を発光する直流電源モジュールと、マッハツェンダ型光強度変調器を駆動し光強度変調を与えるマッハツェンダ駆動回路とマッハツェンダ駆動回路の出力振幅を常に一定値に制御する振幅制御回路と、該受光器により、マッハツェンダ型光強度変調器出力光の平均値を検出する平均光出力検出回路と、制御対象である平均光出力検出回路出力値と制御目標値とを比較してその偏差を補正するようマッハツェンダ型光強度変調器に印加するバイアス電圧値を決定するバイアス電圧制御回路と、該バイアス電圧をマッハツェンダ型光強度変調器に印加するバイアス印加回路と、伝送信号の発光論理を反転させ、光送信器のαパラメータの正負信号を変換するバイアス電圧をバイアス電圧印加回路を介して該マッハツェンダ型光強度変調器に印加する発光論理決定電圧選択回路と、伝送信号の発光論理が反転するとともに、バイアス電圧制御出力値の正負制御方向を自動的に反転させる論理選択回路と、マッハツェンダ型光強度変調器に印加するバイアス電圧の出力範囲を発光論理決定電圧選択回路出力値を中心にマッハツェンダ反周期電圧Vπの±1/2以下に設定したリミット回路とからなる光出力強度変調光送信器バイアス制御回路において、αパラメータ正負符号を変換した場合でもマーク率に応じた制御目標値を設定するために、マッハツェンダ駆動回路の逆相出力より入力電気信号のマーク率を検出するマーク率検出回路と、マーク率変動時の制御目標値の変化幅を制御対象の変動幅と合致させる規格化回路と、αパラメータ正負符号に応じて変わる制御対象値の変化の傾きと制御目標値の変化の傾きとを常に合致させる制御目標値選択回路をマッハツェンダ駆動回路とバイアス電圧制御回路間に設けたことを特徴とするマーク率変動対応バイアス電圧制御回路。
IPC (5件)：
G02F 1/01
, H04B 10/152
, H04B 10/142
, H04B 10/04
, H04B 10/06
G02F 1/01 B
, H04B 9/00 L
