特許
J-GLOBAL ID：200903018451397070
化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-311828
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121455
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】ソ-ス抵抗を低減し、それによって雑音特性を改善したHEMT構造の化合物半導体装置を提供する。【構成】アンド-プ半導体層2と、前記アンド-プ半導体層2上に形成され該アンド-プ半導体層2よりも電子親和力が小さく且つ不純物がド-プされたド-プ半導体層3と、前記ド-プ半導体層3上に形成されたゲ-ト電極4と、前記ド-プ半導体層3上にそれぞれ形成されたソ-ス電極6及びドレイン電極7と、を有する化合物半導体装置において、前記ド-プ半導体層3と前記キャップ層5との間に前記ド-プ半導体層3や前記キャップ層5よりも電子親和力の大きなアンド-プの物質層9を形成している。
請求項（抜粋）：
アンド-プ半導体層と、前記アンド-プ半導体層上に形成され該アンド-プ半導体層よりも電子親和力が小さく且つ不純物がド-プされたド-プ半導体層と、前記ド-プ半導体層上に形成されたゲ-ト電極と、前記ド-プ半導体層上に形成されたキャップ層と、前記キャップ層上にそれぞれ形成されたソ-ス及びドレイン電極と、を有する化合物半導体装置において、前記ド-プ半導体層と前記キャップ層との間に前記ド-プ半導体層や前記キャップ層よりも電子親和力の大きなアンド-プの物質層を形成したことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
