特許
J-GLOBAL ID：200903018452786887
薄膜半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-262605
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075127
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 島状半導体層の側面においてソース部およびチャネル部をそれぞれ構成する高濃度不純物領域1-4-1および低濃度の半導体層1-5,1-7と、高濃度不純物領域および低濃度の半導体層の両方に隣接して接続された金属電極1-3-1とを備え、金属電極と低濃度の半導体層との接続面が、ドレイン領域側1-4-2からみて、ソースを構成する高濃度不純物領域より後退した位置に置かれている薄膜半導体装置。【効果】 チャネル・コンダクタンスが良好でドレイン耐圧が大きく、製造工程が簡易であり、集積度の大きな薄膜半導体装置を形成できる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に島状に分離された半導体層と、前記島状半導体層の側面においてソース部およびチャネル部をそれぞれ構成する高濃度不純物領域および低濃度の半導体層と、前記高濃度不純物領域および低濃度の半導体層の両方に隣接して接続された金属電極とを備えた薄膜半導体装置において、前記金属電極と前記低濃度の半導体層との接続面が、ドレイン領域側からみて、前記ソースを構成する高濃度不純物領域より後退した位置に置かれていることを特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (2件)：
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