伝導材料中の構造を定義し、複製するための方法及び電極

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 越阪部倫子 , 西山雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-505393
公開番号（公開出願番号）：特表2004-530050
出願日： 2002年06月17日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

本発明は、電気化学的パターン複製方法、ECPR及びマイクロ及びナノ構造を含むアプリケーションの製造のための伝導電極の構築に関する。伝導電極、マスター電極(8)により定義されるエッチング又はめっきパターンは、電気伝導性の材料、基材(9)上に複製される。マスター電極(8)は基材(9)と密接して置かれ、エッチング/めっきパターンが、密接エッチング/めっきプロセスを使用して直接的に基材(9)上に転写される。密接エッチング/めっきプロセスは、マスター電極(8)と基材(9)の間の閉じた又は開放のキャビティ中の局所的なエッチング/めっきセル(12,14)中で実施される。

請求項（抜粋）：

伝導電極、マスター電極(8)によって定義されるエッチング又はめっきパターンが電気的伝導性材料、及び基材(9)上に複製される、マイクロ及びナノ構造を含むアプリケーションの製造のための電気化学的パターン複製方法、ECPRであって、上記マスター電極(8)が上記基材(9)と密接に接触し、且つ、上記エッチング/めっきパターンが、局所的なエッチング/めっきセル(12,14)において接触エッチング/めっきプロセス、ここでセルが上記マスター電極(8)及び上記基材(9)の間の閉じた又は開放のキャビティ中に形成される、を使用することにより直接的に上記基材(9)上に転写されることに特徴を有する、前記方法。

IPC (3件)：

C25D5/22 , C25D7/00 , C25D7/12

FI (4件)：

C25D5/22 , C25D7/00 G , C25D7/00 J , C25D7/12

Fターム (13件)：

4K024BB09 , 4K024BB11 , 4K024BB12 , 4K024CA08 , 4K024CA15 , 4K024CA16 , 4K024CB01 , 4K024CB06 , 4K024CB09 , 4K024CB26 , 4K024DB07 , 4K024DB10 , 4K024GA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平1-234590
電気化学製造のためのアーティクル、方法、および装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-542917 出願人：ユニバーシティオブサザンカリフォルニア

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