特許
J-GLOBAL ID：200903018459993926
気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-056510
公開番号（公開出願番号）：特開平9-249500
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 原料ガスの切換特性を向上させ、結晶界面の均一性や急峻性に優れた膜を形成することのできる気相成長装置を提供する。【解決手段】 2種類の原料ガス供給源1、2を有し、気相成長に必要な原料ガスを反応管内に導入するための反応管ライン4と、不要な原料ガスを排気するためのベントライン5が設けられている。そして、各ライン上の原料ガス導入口より上流側に設置されて各ライン間の圧力差を検出する圧力計7、9と、任意の原料ガス導入口位置での圧力差が零になるような圧力計位置での圧力差を演算、記憶する演算記憶回路23と、ベントライン5上に設置され演算記憶回路23から出力された圧力差値に基づいてベントライン5内の圧力を制御する圧力制御器8を有している。
請求項（抜粋）：
複数種の原料ガス供給源を有し、これら原料ガスのうち気相成長に必要な原料ガスを反応管内に導入するための配管である反応管ラインと、不要な原料ガスを排気するための配管であるベントラインが設けられた気相成長装置において、前記反応管ライン上および前記ベントライン上における前記各原料ガス供給源からの原料ガスの導入口より上流側に設置され、前記反応管ラインと前記ベントラインの間の配管内圧力差を検出する圧力差検出手段と、前記複数の原料ガス導入口のうち任意の原料ガス導入口位置での圧力差が零または任意値になるような前記圧力差検出手段の設置位置での圧力差を演算、記憶する演算記憶手段と、前記反応管ライン上または前記ベントライン上に設置され、前記演算記憶手段から出力された圧力差値に基づいてその配管内の圧力を制御する圧力制御手段、を有することを特徴とする気相成長装置。
IPC (3件)：
C30B 35/00
, C23C 16/44
, H01L 21/205
C30B 35/00
, C23C 16/44 D
, H01L 21/205
