特許

J-GLOBAL ID：200903018463057747

レベル変換回路及び半導体集積回路

発明者： 鈴川 一文 ,  河合 洋造
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068184
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269804
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 レベル変換の高速化及び低消費電流化を図ることにある。【解決手段】 正の低電位側から正の高電位側へ信号を伝搬するレベル変換回路において、入力信号変遷時のエッジに同期したワンショットパルス信号を発生するためのワンショットパルス発生回路(13)と、発生されたワンショットパルスに基づいて、正の高電位側における信号伝達ノードを強制プルアップするための強制プルアップ回路(10)とを設ける。強制プルアップ回路は、入力信号変遷時のエッジに同期したパルス信号が印加されることにより、正の高電位側における信号伝達ノードを強制プルアップする。この強制プルアップにより入力信号変遷時の出力論理が高速に反転され、このことがレベル変換の高速化及び低消費電流化を達成する。

請求項（抜粋）：

正の低電位側から正の高電位側へ信号を伝搬するレベル変換回路において、入力信号変遷時のエッジに同期したワンショットパルス信号を発生するためのワンショットパルス発生回路と、上記ワンショットパルス発生回路で生成されたパルス信号が印加されることにより、正の高電位側における信号経路を強制プルアップするための強制プルアップ回路と、を含むことを特徴とするレベル変換回路。

IPC (3件)：

H03K 19/0185 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H03K 19/00 101 B ,  H01L 27/04 G

Fターム (24件)：

5F038AR30 ,  5F038CD02 ,  5F038CD03 ,  5F038DF01 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF08 ,  5F038DF14 ,  5F038EZ20 ,  5J056AA32 ,  5J056BB02 ,  5J056BB17 ,  5J056BB19 ,  5J056CC00 ,  5J056CC15 ,  5J056CC21 ,  5J056DD13 ,  5J056DD28 ,  5J056DD29 ,  5J056EE11 ,  5J056FF08 ,  5J056GG06 ,  5J056HH01 ,  5J056HH02