特許
J-GLOBAL ID：200903018464326024
半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-010420
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041565
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】活性層上の第二クラッド層を所定の厚さだけ残し、電流阻止層を形成する半導体の成長を容易にするためのストップエッチングに適した、エッチングストップ層およびエッチング液を提供する。【構成】エッチングストップ層に閃亜鉛鉱型構造をもつZnSeを用いることにより、その上に同じく閃亜鉛鉱型構造をもつGaAsなどよりなる電流阻止層の成長を容易にする。そしてエッチング液にはアンモニア水を用いる。また、エッチングストップ層にGaInPを用いる場合にも第二クラッド層を形成するAlGaAsとの間に良好な選択性を示すアンモニア水をエッチング液として用い、GaAsの成長容易な面を残す。さらに、エッチングストップ層にAlGaInPあるいはGaInPを用いるが、成長容易化層を兼ねさせないでアンモニア水によるストップエッチング後に硫酸により除去し、露出した第二クラッド層表面上にGaAsを成長させる。
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板上に第一導電型の第一クラッド層, 活性層, 中間に第二導電型のエッチングストップ兼成長容易化層をはさんだ第二導電型の第二クラッド層および第二導電型のオーム性コンタクト層を順次積層後、エッチングストップ兼成長容易化層の表面が露出するまで選択エッチングを行って第二クラッド層およびオーム性コンタクト層よりなる条状メサ部を形成し、次いでエッチングストップ兼成長容易化層の表面上に条状メサ部の側面に接する第一導電型の電流阻止層を形成する方法であって、少なくとも第二クラッド層がアルミニウムを含むガリウム系金属化合物半導体よりなり、電流阻止層が閃亜鉛鉱型構造をもつ半導体よりなる半導体レーザ素子の製造方法において、エッチングストップ兼成長容易化層をセレン化亜鉛により形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
