貫通孔へのメッキ埋め込み方法及びメッキ装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：板谷康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-298109
公開番号（公開出願番号）：特開2006-111896
出願日： 2004年10月12日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【課題】貫通孔へのメッキ埋め込み方法及びメッキ装置において、メッキ埋め込み工程の前後に別プロセスを必要とせずに直接貫通孔に金属を埋め込み、また、埋め込み金属中にボイドの発生のない信頼性の高い貫通電極をより高速に形成することを可能とする。【解決手段】貫通孔3を有する絶縁材料からなる基板1又は表面が絶縁された基板1にメッキを施して貫通孔3の内部に金属4を埋め込むメッキ埋め込み方法であって、第1工程では基板1の表面に金属薄膜2を形成し、第2工程では基板1の面A側の電流密度と面B側の電流密度を異ならせて金属薄膜2にメッキを施し電流密度の高い側の面Aの貫通孔3の開口部をメッキ金属4で塞ぎ、第3工程ではメッキ抑制剤及び又はメッキ促進剤を含むメッキ液を用いるとともに基板1の面A側の電流密度と面B側の電流密度の高低を第2工程とは逆に設定してメッキを施し貫通孔3にメッキ金属4を埋め込む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

直径が1mm以下の貫通孔を有する絶縁材料からなる基板又は表面が絶縁された基板にメッキを施して前記貫通孔の内部に金属を埋め込む貫通孔へのメッキ埋め込み方法において、前記基板の表面に金属薄膜を形成する第1工程と、前記基板の一方の面側の電流密度と他方の面側の電流密度を異ならせて前記金属薄膜にメッキを施し電流密度の高い側の面の前記貫通孔の開口部をメッキ金属で塞ぐ第2工程と、メッキ抑制剤及び又はメッキ促進剤を含むメッキ液を用いるとともに前記基板の一方の面側の電流密度と他方の面側の電流密度の高低を前記第2工程とは逆に設定してメッキを施し前記貫通孔にメッキ金属を埋め込む第3工程と、を含むことを特徴とする貫通孔へのメッキ埋め込み方法。

IPC (6件)：

C25D 21/12 , C25D 7/12 , C25D 21/00 , H01L 21/288 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (6件)：

C25D21/12 D , C25D7/12 , C25D21/00 J , H01L21/288 E , H01L21/88 J , H01L21/88 B

Fターム (43件)：

4K024AB02 , 4K024AB15 , 4K024BA11 , 4K024BA12 , 4K024BB12 , 4K024BC01 , 4K024CA01 , 4K024CA02 , 4K024CA06 , 4K024CB04 , 4K024CB08 , 4K024GA16 , 4M104AA01 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB39 , 4M104DD22 , 4M104DD52 , 4M104FF06 , 4M104FF21 , 4M104FF22 , 4M104FF27 , 4M104HH09 , 5F033GG03 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ14 , 5F033KK11 , 5F033MM30 , 5F033NN30 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ00 , 5F033WW01 , 5F033XX14

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許2003-328180号公報
配線基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-115163 出願人：新光電気工業株式会社

審査官引用 (1件)

電気めっき法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-263503 出願人：日立化成工業株式会社

前のページに戻る