特許
J-GLOBAL ID：200903018474861327
多層配線基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-020380
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231172
出願日： 1994年02月17日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：
【要約】【構成】基板の少なくとも片面に、導体層と該導体層上に形成された絶縁体層とを含む層が3層以上形成された多層配線基板において、コンタクトホールの面積が、その下の導体層のうちの該コンタクトホールと接続する領域の面積の5%以上を占有し、コンタクトホールの位置は、その下の絶縁体層に形成されたコンタクトホールの位置とは重ならず、2層下の絶縁体層に形成されたコンタクトホールの位置とも重ならず、導体層については、コンタクトホールで接続された下の導体層と面積の30%以上が重なり、2層下の導体層とも面積の30%以上が重なることを特徴とする多層配線基板。【効果】本発明は、上述のような構造のコンタクトホールを持った多層配線基板を採用したことにより、主として放熱を目的とした凹凸の小さいコンタクトホールを、限られた面積に形成することが可能になった。
請求項（抜粋）：
基板上の少なくとも片面に、導体層と該導体層上に形成された絶縁体層とを含む層が3層以上形成された多層配線基板において、?@第n層(ただし、nは自然数)の導体層上の絶縁体層に形成されたコンタクトホールの面積が、第n層の導体層のうちの該コンタクトホールと接続する領域の面積の5%以上を占有し、?A第(n+1)層の絶縁体層に形成されたコンタクトホールの位置は、第n層の絶縁体層に形成されたコンタクトホールの位置とは重ならず、?B第(n+2)層の絶縁体層に形成されたコンタクトホールの位置は、第n層の絶縁体層に形成されたコンタクトホールの位置とは重ならず、?C第n層、第(n+1)層、第(n+2)層の導体層が、該第n層および第(n+1)層の各導体層の上の各絶縁体層に形成されたコンタクトホールを通じて連結され、?D第(n+1)層の導体層の面積の30%以上が、該第(n+1)層の導体層と接続する第n層の導体層と重なり、?E第(n+2)層の導体層の面積の30%以上が、該第(n+2)層の導体層と接続する第n層の導体層と重なる、ことを特徴とする多層配線基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H01L 21/3205
, H01L 23/12
H01L 21/88 Z
, H01L 23/12 N
