特許

J-GLOBAL ID：200903018475025280

SRAM用TEG

発明者： 山崎 秀和
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-373628
公開番号（公開出願番号）：特開2003-172766
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 従来はSRAM30のノード電圧の立ち上がり、立ち下がり波形70が異常のとき、LSIテスター36でも、TEG50でもセル34とセンスアンプ37のどちらに原因があるか切り分けることができない。それはセル34自身の電圧波形が測れないためである。【解決手段】 本発明のSRAM用TEG10は、SRAMと同一構成のセルを形成し、さらにワード線、電源、データ線、GNDにつながる部分、および、ノードにパッドを形成した。TEG10をテストするときは、ワード線、電源、データ線、GNDにつながる部分のパッドにプローブを立て電圧・電流を加えると、セルが本物のSRAMのようにライト/リード動作する。このときノードのパッドにプローブを立ててセル自身の電圧波形が測れる。

請求項（抜粋）：

SRAM(スタティック・ランダム・アクセス・メモリー)と同一ウエハ内に形成されるTEG(テスト・エレメント・グループ)において、前記SRAMのセルと同一構成ののセルを有し、さらに、前記セル内のワード線、電源、データ線、GNDにつながる部分、および、ノードにプローブ用パッドを有することを特徴とするSRAM用TEG。

IPC (6件)：

G01R 31/28 ,  G11C 11/413 ,  G11C 29/00 671 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11

FI (6件)：

G11C 29/00 671 Z ,  H01L 21/66 Y ,  G01R 31/28 V ,  G01R 31/28 B ,  H01L 27/10 381 ,  G11C 11/34 341 D

Fターム (26件)：

2G132AA08 ,  2G132AB02 ,  2G132AC03 ,  2G132AD10 ,  2G132AK02 ,  2G132AK07 ,  2G132AL11 ,  2G132AL12 ,  4M106AA01 ,  4M106AB07 ,  4M106AC02 ,  4M106AD30 ,  5B015KA13 ,  5B015MM07 ,  5B015PP02 ,  5F083BS01 ,  5F083BS13 ,  5F083BS27 ,  5F083BS37 ,  5F083ZA20 ,  5F083ZA28 ,  5F083ZA29 ,  5L106AA02 ,  5L106AA05 ,  5L106DD00 ,  5L106GG06