特許

J-GLOBAL ID：200903018475962240

微小はんだバンプ形成方法

発明者： ヤヌス・カミンスキー
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307173
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150076
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】絶縁基板に設けられた微小サイズの銅パッド上に、マスク層の厚さよりも高く盛り上がったはんだバンプを形成する方法。【解決手段】 図1に示すように、基底部分は銅パッド4と同サイズに、開口部分は銅パッド4よりも大きなサイズになるような穴3を、マスク層2にレーザ・アブレーションによって開ける。この方法により、ハンダ滴を比較的大きな体積で施すことができる。

請求項（抜粋）：

支持基板に設置される銅パッドの上に微小はんだバンプを製造する方法において、a)支持基板にマスク層としてレジスト膜またはポリマ膜を施すステップと、b)銅パッドの上方にレーザ・アブレーションによりマスク層に穴をあけ、該穴の直径をその基底において銅パッドの直径に対応させ、100μmより小さくし、また銅パッドの上方の前記穴の直径を銅パッドより大きくするステップと、c)前記穴にはんだペーストを詰め、続いてリフローさせるステップと、d)マスク層を除去するステップとを設けて成る方法。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 ,  B23K 33/00 ,  H05K 3/34 505 ,  H01L 21/321

FI (4件)：

H01L 21/60 311 S ,  B23K 33/00 ,  H05K 3/34 505 A ,  H01L 21/92 603 F