特許

J-GLOBAL ID：200903018476174025

半導体レーザ素子

発明者： 二木 誠 ,  谷口 正 ,  小島 千秋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-328212
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145177
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 マウント時におけるストライプの位置合せ精度を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。【構成】 基板上に積層された活性層にストライプを形成し、そのストライプをレーザ発光部とする半導体レーザ素子において、その半導体レーザ素子の上下面の一方をマウント時の融着面としたもので、その融着面とは反対側の面Rに、ストライプ12の形成位置を示す位置合せマーク11aを設けた。

請求項（抜粋）：

基板上に積層された活性層にストライプを形成し、そのストライプをレーザ発光部とする半導体レーザ素子において、前記半導体レーザ素子の上下面の一方をマウント時の融着面としたものであって、前記融着面とは反対側の面に、前記ストライプの形成位置を示す位置合せマークを設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。