特許

J-GLOBAL ID：200903018482331833

シリコンをラジカル酸化する方法および装置

発明者： ヨシ オノ
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-305720
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142469
出願日： 2002年10月21日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 比較的低温でシリコン基板を急速酸化させ、二酸化シリコン層を形成する方法を提供すること。【解決手段】 シリコンウェハをラジカル酸化する装置は、シリコンウェハが装置内部に含まれており、加熱チャックを有する真空チャンバであって、加熱チャックは真空チャンバ内部に位置し、シリコンウェハを保持し、かつ、約400°C〜500°Cの間の温度でシリコンウェハの温度を維持する、真空チャンバと、真空チャンバ内のシリコンウェハを酸化するために、酸素含有ガスを提供する酸化ガスソースと、酸素含有ガスをO(1D)状態の酸素を含む解離生成物に解離する酸素解離機構と、解離生成物を真空チャンバを通って移動させる機構とを備える。

請求項（抜粋）：

シリコンウェハをラジカル酸化する装置であって、該シリコンウェハは該装置内部に含まれており、該装置は、加熱チャックを有する真空チャンバであって、該加熱チャックは該真空チャンバ内部に位置し、該シリコンウェハを保持し、かつ、約400°C〜500°Cの間の温度で該シリコンウェハの温度を維持する、真空チャンバと、該真空チャンバ内の該シリコンウェハを酸化するために、酸素含有ガスを提供する酸化ガスソースと、該酸素含有ガスをO(1D)状態の酸素を含む解離生成物に解離する酸素解離機構と、該解離生成物を該真空チャンバを通って移動させる機構とを備える、装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 A

Fターム (14件)：

5F045AA16 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045DP03 ,  5F045EE08 ,  5F058BC02 ,  5F058BF54 ,  5F058BF73 ,  5F058BF75 ,  5F058BF77 ,  5F058BF78