特許
J-GLOBAL ID：200903018482840100
薄膜多結晶Si太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098144
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310745
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、低コスト基板である金属基板上に大粒径の多結晶半導体層を成長させ、安価で高品質な太陽電池を提供することにある。【構成】 1)金属基体上に絶縁層を堆積する工程と、2)該絶縁層の表面に非晶質Si層を堆積する工程と、3)該非晶質Si層を不活性ガス雰囲気中で加熱し結晶Si層にする工程と、4)活性ガス雰囲気中で加熱し、前記結晶Si層を凝集させてSi結晶粒を形成する工程と、5)液相法により前記Si結晶粒を種結晶として結晶成長を行う工程と、6)活性ガス雰囲気中で加熱し前記金属基体の表面とSi結晶粒の底面とを接触させる工程と、7)液相法により前記Si結晶粒をさらに結晶成長させて前記絶縁層表面をSi層で覆う工程と、を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
多結晶Si太陽電池の製造方法において、1)金属基体上に絶縁層を堆積する工程と、2)該絶縁層の表面に非晶質Si層を堆積する工程と、3)該非晶質Si層を不活性ガス雰囲気中で加熱し、固相成長させて結晶Si層にする工程と、4)活性ガス雰囲気中で加熱し、前記結晶Si層を凝集させてSi結晶粒を前記絶縁層上に形成する工程と、5)液相法により前記Si結晶粒を種結晶として結晶成長を行う工程と、6)活性ガス雰囲気中で加熱し、前記Si結晶粒と前記絶縁層との間で固相反応を促進させて前記金属基体の表面とSi結晶粒の底面とを接触させる工程と、7)液相法により前記Si結晶粒をさらに結晶成長させて前記絶縁層表面をSi層で覆う工程と、を含むことを特徴とする薄膜多結晶Si太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 X
, H01L 21/265 A
