特許

J-GLOBAL ID：200903018484662934

装飾クロムめっき皮膜及びその形成方法

発明者： 加藤 守 ,  上村 俊也 ,  筒井 將年 ,  近藤 国芳 ,  伊藤 敏安
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 松原 等
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118158
公開番号（公開出願番号）：特開平5-287579
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1993年11月02日
要約：

【要約】【目的】 マイクロポーラスクロムめっき皮膜において、下層のニッケルめっき層が腐食しても、その腐食部分のクロムめっき層の脱離を防止又は延期して外観の低下を防ぎ、実質上の耐久性を向上させる。【構成】 ABS樹脂基材1の表面に、半光沢ニッケルめっき層2、光沢ニッケルめっき層3、分散ストライクニッケルめっき層4及びクロムめっき層5を順に積層してなるマイクロポーラスクロムめっき皮膜6を形成する。光沢ニッケルめっき層4の腐食電位を基準としたときの分散ストライクニッケルめっき層4の腐食電位を10mV以上とする。そのために、分散ストライクニッケルめっき層形成用めっき浴に添加する二次光沢剤の量を、光沢ニッケルめっき層形成用めっき浴に添加する二次光沢剤の量より多くする。または、前者のめっき浴の温度を、後者のめっき浴の温度より高くする。

請求項（抜粋）：

第一ニッケルめっき層と、該第一ニッケルめっき層上に形成した第二ニッケルめっき層と、第二ニッケルめっき層上に形成したクロムめっき層とを含む装飾クロムめっき皮膜において、第一ニッケルめっき層の腐食電位を基準としたときの第二ニッケルめっき層の腐食電位を10mV以上とすることを特徴とする装飾クロムめっき皮膜。