特許
J-GLOBAL ID：200903018484958167
プログラム特性を改善したワンタイムプログラム可能な素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-040720
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343528
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、局所的な電界増強の拡散領域を利用してアンチフューズ素子のプログラム特性を改良することによる。【構成】 アンチフューズ素子を用いた半導体装置の製造において、アクセス線(15)、通常ワード線、を形成した後、隣接するアクセス線(15)間を自己整合してトレンチを形成して拡散領域を分断する。次に、アクセス線のスペーサ(16)をエッチバックして形成されたスペーサをマスクにして拡散領域(11)の露出されたエッジ部(31)とトレンチ(22)の底に低エネルギーで重いドーズをイオン注入する。アンチフューズ絶縁層(41)上に通常ソース線としての第2導電アクセス線(42)を設けてトレンチ内に埋込ませてプログラム可能なアンチフューズ素子を形成する。拡散領域(11)中に重いドーズのドープされた領域を形成することによって、プログラム電圧を低下させ、かつアンチフューズ素子の耐絶縁破壊をもたらす。
請求項（抜粋）：
a)基板に所定の導電型の元素をドープして拡散領域(11)を形成した後に、該拡散領域に隣接して隣り合うアクセス線(15)をマスクして該拡散領域の一部を露出する工程と、前記アクセス線(15)は、絶縁層(13)で覆われた活性金属-酸化物トランジスタと絶縁分離のための絶縁体スペーサ(16)とソース/ドレイン領域の拡散領域(11)とからなるアクセス装置で構成され、b)前記露出された拡散領域を貫通してトレンチを形成して前記拡散領域(11)を分断し、かつ前記絶縁体スペーサ(16)の外側下部を自己整合して前記分断された拡散領域中にエッジ部(31)を形成する工程と、c)前記絶縁体スペーサ(16)をエッチバックして前記分断された拡散領域(11)の前記エッジ部を露出する工程と、d)前記トレンチ(22)、前記露出したエッジ部及び前記絶縁体スペーサ(16)上を覆って絶縁層(41)を形成する工程と、e)前記絶縁層(41)上を覆って導電層(42)を形成して、前記分断された拡散領域(11)と前記導電層(42)との間にはさまれて設けられた前記絶縁層(41)からなるプログラム可能な素子を形成する工程とかるなる半導体装置のプログラム特性を改善したワンタイムプログラム可能な素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/82
, H01L 21/265
, H01L 27/108
, H01L 27/10 431
H01L 21/82 F
, H01L 21/265 W
, H01L 27/10 325 N
