特許

J-GLOBAL ID：200903018487818307

ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成要素として含む半導体装置及びその製造方法

発明者： 原 直紀
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040241
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246586
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成要素として含む半導体装置及びその製造方法に関し、ワイドギャップコレクタの採用に伴うベース寄生抵抗の増大を防止する。【解決手段】 真性領域のみにワイドギャップコレクタ層1、及び、SiGe或いはSiGeCのいずれかからなるベース層2を順次積層させるとともに、ベース層2とベース引出電極4とをワイドギャップ多結晶層5を介することなく結合する。

請求項（抜粋）：

真性領域のみにワイドギャップコレクタ層、及び、SiGe或いはSiGeCのいずれかからなるベース層を順次積層させるとともに、前記ベース層とベース引出電極とをワイドギャップ多結晶層を介することなく結合することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成要素として含む半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/732 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/737

FI (2件)：

H01L 29/72 S ,  H01L 29/72 H

Fターム (18件)：

5F003AP05 ,  5F003BB04 ,  5F003BB05 ,  5F003BB07 ,  5F003BB08 ,  5F003BB90 ,  5F003BC04 ,  5F003BC08 ,  5F003BE07 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH06 ,  5F003BH18 ,  5F003BM01 ,  5F003BP33 ,  5F003BP93 ,  5F003BP94 ,  5F003BP96