特許

J-GLOBAL ID：200903018493475675

半導体装置およびその製造方法

発明者： ▲高▼藤 裕
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-086999
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282885
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 単結晶Si薄膜を有する特性の安定した大型かつ安価な半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁基板1上に堆積されたSiO2膜2上に、多結晶Si薄膜4と単結晶Si薄膜5とを形成する。非晶質Si膜3を加熱結晶化し多結晶Si層を成長させて多結晶Si薄膜4を形成する。SiO2膜11を表面に有し、かつ水素イオン注入部12を有する単結晶Si基板10を、多結晶Si薄膜4をエッチング除去した領域に貼り合わせ熱処理することにより、水素イオン注入部12を境に剥離することにより単結晶Si薄膜5を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に多結晶Si薄膜と単結晶Si薄膜とがそれぞれ異なる領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/12

FI (7件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 L ,  H01L 27/12 P ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 D

Fターム (43件)：

2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA08 ,  2H092MA29 ,  2H092NA11 ,  2H092NA25 ,  5F048AA08 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BC16 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL06 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ28