特許
J-GLOBAL ID：200903018493672730
ピッチ基準のサブレゾル-ション補助構造体(SRAF)設計
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-020551
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266269
出願日： 2004年01月28日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】リソグラフィ投影システムの最適に構成された輪帯照明光源に対応するサブレゾルーション補助構造体(SRAF)を効率的に構成するために、集積回路(IC)設計レイアウトを描画するマスクを設計する方法を提供する。【解決手段】IC設計について臨界ピッチを特定し、マスクを通して投影された像が設計レイアウト内のピッチの全範囲に関して最適化されるように輪帯照明光源の最適な内側半径座標σinnerおよび外側半径座標σouterを決定する。輪帯照明光源について最適な内側半径および外側半径を確定するための関係を与える。得られるピッチの範囲が臨界ピッチにほぼ対応するように、マスク設計にSRAFの数と配置を付加する。像が最適な特性例えば良好なコントラストおよび良好な焦点深度を有するようにSRAFを構成する方法は、高速である。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
集積回路(IC)を製造する方法であって、
a)輪帯照明光源を有するリソグラフィ投影システムのシステム・パラメータを与える工程であって、前記システム・パラメータは、投影開口数NA,前記輪帯照明光源の波長λ,内側半径σinner
および外側半径σouter を含む工程と、
b)臨界ピッチPCritを有するパターン内に配設された複数の第1の臨界構造体を含むIC設計レイアウトを与える工程であって、前記臨界ピッチは、前記設計レイアウトの最小ピッチPMin
より大きいかまたはこれと等しく、かつ、前記設計レイアウトの最大ピッチPMax より小い工程と、
c)前記臨界ピッチに対応する最適なリソグラフィ・プロセス・ウィンドウを与える臨界半径σCritを確定する工程と、
d)前記輪帯照明光源の前記外側半径および前記内側半径を確定して前記臨界半径が前記内側半径より大きいかまたはこれに等しく、かつ、前記外側半径より小さいかまたはこれと等しくなるようにする工程と、
e)サブレゾルーション補助構造体(SRAF)の追加が必要ない最大ピッチとして選択される遷移ピッチPTrans を確定する工程と、
f)前記遷移ピッチPTrans より大きい設計ピッチPD を有する設計レイアウト内で複数の第2の臨界構造体を特定する工程と、
g)前記第2の臨界構造体のそれぞれの間の前記IC設計レイアウト内に1つ以上のSRAFを配設して、SRAFと前記臨界ピッチにほぼ対応する結合ピッチPCombinedを有する前記第2の臨界構造体の最終結合パターンを含む修正IC設計レイアウトを形成する工程と、
h)前記リソグラフィ投影システムで用いられるマスク・レイアウトを設計する工程であって、前記マスク・レイアウトは、前記1つ以上のSRAFと前記第2臨界構造体との前記最終結合パターンを含む前記修正IC設計レイアウトに対応する工程と、を含む方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/30 515D
, G03F1/08 A
, G03F1/08 D
, H01L21/30 502P
