特許

J-GLOBAL ID：200903018494025711

単結晶シリコン薄膜形成方法及びその装置

発明者： 佐藤 幸人 ,  大高 剛一
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
代理人 (1件)： 柏木 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039254
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234885
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 レーザ光の光強度が変動した場合、応答性に優れたフィードバック制御を可能とし、サブグレインダンバリーの少ない単結晶シリコン薄膜を安定して形成できるようにすること。【構成】 絶縁性材料15上に形成された多結晶シリコン薄膜又は非晶質シリコン薄膜にレーザ光11を照射して溶融・再結晶化させて単結晶シリコン薄膜を形成するようにした単結晶シリコン薄膜形成方法において、レーザ光11を光学部材12により反射光13と透過光14とに分割するとともに、この分割の割合を可変制御させることにより、所望の光強度とされたレーザ光なる透過光14を照射するようにした。

請求項（抜粋）：

絶縁性材料上に形成された多結晶シリコン薄膜又は非晶質シリコン薄膜にレーザ光を照射して溶融・再結晶化させて単結晶シリコン薄膜を形成するようにした単結晶シリコン薄膜形成方法において、前記レーザ光を光学部材により分割するとともに、この分割の割合を可変制御させて所望の光強度のレーザ光を照射するようにしたことを特徴とする単結晶シリコン薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268