特許

J-GLOBAL ID：200903018494716935

高耐圧半導体装置

発明者： 原田 祐一 ,  岩室 憲幸 ,  降旗 博明 ,  久保山 貴博
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-189181
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015769
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の耐圧特性を向上させる。【解決手段】第一導電型の半導体基板の表面層に、第二導電型の領域を深くて不純物濃度の低い領域と、浅くて不純物濃度の高い領域との二層で形成する場合、その二つの領域の境界部分の不純物濃度を5×1015/cm3、望ましくは5×1015/cm3以下、更に1×1015/cm3以下にする。そして、低濃度領域の幅を高濃度領域の幅よりも広く形成する。また、第一導電型の半導体基板の表面層に、第二導電型の領域を一層で形成する場合、その領域の表面不純物濃度を1×1015〜1×1016/cm3の範囲、望ましくは、1×1015〜3×1015/cm3の範囲にする。

請求項（抜粋）：

第一導電型の高比抵抗半導体基板の表面層に、第二導電型の領域が形成され、その間のpn接合に逆電圧の印加される高耐圧半導体装置において、第二導電型の領域が表面側の不純物濃度の高濃度層とそれより深い部分の不純物濃度の低濃度層との二層からなり、二層の境界の不純物濃度が5×1015cm-3以下であることを特徴とする高耐圧半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特表平1-501030
  
• 特開昭58-115871
  
• 特開昭58-216473
  
• 特表平6-502277