特許
J-GLOBAL ID：200903018501239404

半導体装置製造用基板、その製造方法、及び、光電変換装置、その製造方法

発明者：
丸山 光弘

丸山 光弘 について

, 
丸山 康弘

丸山 康弘 について


出願人/特許権者：
有限会社デジタル・ウェーブ

有限会社デジタル・ウェーブ について


代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-253930
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091625
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 安価でかつ良質な、広面積表面層を有する半導体装置製造用基板、半導体装置製造用基板を用いた広面積受光面とその立体的構造とにより高効率を得ることのできる光電変換装置、及び、それらの製造方法。【解決手段】 複数層の半導体粒状結晶2-1,2-2,2-3を半導体基板1の上に配置し、熱処理あるいは化学的気相成長法により、これらを相互の接続点4-1,4-2,4-3で接続固着し半導体装置製造用基板を形成する。この基板に、活性層5を形成し、次に、化学的気相成長法あるいは拡散法により、活性層5の表面に異種伝導型の半導体活性層6を形成して、立体的構造を持つPN接合面を形成する。これにより、高効率な太陽電池、発光ダイオードを得ることができる。
請求項（抜粋）：
表面が平坦面あるいは凹凸面を有する半導体基板あるいは表面に半導体層を有する基板上に、半導体粒状結晶あるいは表面に半導体層を有する粒状結晶が、1層または複数層配置され、前記粒状結晶相互間、及び、前記基板と粒状結晶とが相互に半導体膜により接続・固定された構造を有することを特徴とする半導体装置製造用基板。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 31/04 B
Fターム (30件)：
5F041AA03 ,  5F041CA02 ,  5F041CA03 ,  5F041CA10 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA35 ,  5F041CA38 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041DA42 ,  5F051AA04 ,  5F051AA08 ,  5F051BA14 ,  5F051CB04 ,  5F051CB08 ,  5F051CB12 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051DA05 ,  5F051DA07 ,  5F051DA20 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051HA03
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-016979   出願人：いすゞ自動車株式会社
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-050973   出願人：株式会社東芝
  • 光起電力装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-210208   出願人：三洋電機株式会社

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