特許

J-GLOBAL ID：200903018503166730

窒化層を有するサファイア基板およびその製造方法

発明者： 津田 道信
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (1件)： 深井 敏和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-139593
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332234
出願日： 2002年05月15日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造時間を短縮することができる、AlxGayIn1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される窒化物半導体を成長させるためのサファイア基板、および窒化物半導体の成長工程直前の前処理を事前にまとめて行うことで半導体装置の製造時間を短縮することができる前記窒化物半導体を成長させるためのサファイア基板の製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体成長面の表面部に、非晶質または多結晶のAlNからなる窒化層2aを有するサファイア基板2である。また、このサファイア基板2は、窒化物半導体を成長させる装置とは別の装置内で前記半導体成長面の表面部を窒化する工程を含む製造方法により得られる。さらに、このサファイア基板2を昇温して、表面部に単結晶のAlNからなる窒化層を有するサファイア基板を得る。

請求項（抜粋）：

半導体成長面上にAlxGayIn1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される窒化物半導体を成長させるためのサファイア基板であって、前記半導体成長面の表面部に、非晶質または多結晶のAlNからなる窒化層を有することを特徴とするサファイア基板。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

Fターム (12件)：

5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA24 ,  5F041CA25 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F052JA08 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05