特許
J-GLOBAL ID：200903018503489815
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-198736
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260452
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 Six Ny 系材料層に対して高選択比を確保しながらSiOx 系材料層をドライエッチングする。【構成】 Si3 N4 下地膜3上に形成されたSiO2 層間絶縁膜4を、S2 F2 /N2 混合ガスを用いてエッチングする。S2 F2 から生成するF* ,SFx+ によりエッチングが進行する一方、同じくS2 F2 から生成するS原子とN2から生成するN原子が結合してポリチアジル(SN)x 等の窒化イオウ系化合物が生成し、パターン側壁面等に堆積する。Si3 N4 下地膜3が露出すると、この膜中のN原子とプラズマ中のS原子が結合し、やはり(SN)x 等が形成される。これら気相中、固体表面の両方の(SN)x によりウェハ表面が保護され、選択性が向上する。Si3 N4 マスクによるSiO2 層間絶縁膜のエッチングも可能であり、高いマスク選択性が得られる。
請求項（抜粋）：
S2 F2 ,SF2 ,SF4 ,S2 F10から選ばれる少なくとも1種類のフッ化イオウと窒素系化合物とを含むエッチング・ガスを用い、窒化シリコン系材料層の上に形成された酸化シリコン系材料層を基体表面の一部に少なくとも窒化イオウ系化合物を堆積させながら選択的にエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/3205
