特許

J-GLOBAL ID：200903018510119756

半導体レーザ素子

発明者： 山本 三郎 ,  森本 泰司 ,  佐々木 和明 ,  近藤 正樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-166669
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026873
出願日： 1988年10月21日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 従来の自励発振現象を有する半導体レーザ素子では、n形ドーパントの可飽和吸収に基づく、モードホップ抑制効果があり、戻り光雑音抑制が十分ではなかった。【解決手段】 n形クラッド層と、p形クラッド層と、前記n形クラッド層とp形クラッド層とで挟まれた活性層と、を備えた屈折率導波路を有する半導体レーザ素子であって、前記n形クラッド層は主たる不純物がSiである層を有し、前記p形クラッド層は主たる不純物がMgである層を有すると共に、前記屈折率導波路の横方向の屈折率差Δnをほぼ1×10-3に設定してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

n形クラッド層と、p形クラッド層と、前記n形クラッド層とp形クラッド層とで挟まれた活性層と、を備えた屈折率導波路を有する半導体レーザ素子であって、前記n形クラッド層は主たる不純物がSiである層を有し、前記p形クラッド層は主たる不純物がMgである層を有すると共に、前記屈折率導波路の横方向の屈折率差Δnをほぼ1×10-3に設定してなることを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-103385
  
• 特開昭58-115877
  
• 特開昭61-084892