特許

J-GLOBAL ID：200903018523165072

半導体製造装置、および半導体装置の製造方法

発明者： 朴 慶浩 ,  高橋 芳秋
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-137647
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334818
出願日： 2001年05月08日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】 一の基板処理工程と次段の基板処理工程との間にインラインに挿入可能で、部分的に破壊検査を行った後で被処理基板を半導体製造ラインに戻せるインラインモニタを含んだ半導体製造装置を提供する。【解決手段】 インラインモニタにおいて被処理基板を集束イオンビーム加工して試験片をピックアップし、加工後の被処理基板を、次段の基板処理工程において要求される清浄度にクリーニングしてから半導体製造ラインに戻す。

請求項（抜粋）：

前段の基板処理装置と後段の基板処理装置とに結合され、被処理基板を格納した搬送容器を搬送する搬送路と、前記搬送容器を出し入れする基板出入部と、前記基板出入部に結合して設けられ、前記搬送容器中の被処理基板を保持して搬送する基板搬送部と、前記基板搬送部に結合して設けられた真空室を備え、前記真空室中において前記基板搬送部から搬送された被処理基板に対して検査領域を加工し、さらに加工された検査領域に対して検査を行う加工・検査部とを備えた半導体製造システムにおいて、前記加工・検査部は、前記真空室中に設けられ前記被処理基板を保持するステージと、前記ステージ上の被処理基板に向けてイオンビームを発射するイオンビーム源と、前記イオンビームを前記被処理基板上において、前記検査領域に集束させるイオン光学系と、前記ステージ上の被処理基板の表面を検査する検査装置とよりなり、前記加工・検査部には、先端を前記検査領域に係合させ、前記検査領域に形成された試験片をピックアップするプローブが設けられていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  B65G 49/00 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/02 Z ,  B65G 49/00 A ,  H01L 21/66 N ,  H01L 21/68 A

Fターム (18件)：

4M106AA01 ,  4M106BA03 ,  4M106CA51 ,  4M106DG19 ,  4M106DG28 ,  4M106DH08 ,  4M106DH50 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ05 ,  5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA03 ,  5F031FA09 ,  5F031FA12 ,  5F031HA72 ,  5F031MA23 ,  5F031MA33 ,  5F031NA05