特許

J-GLOBAL ID：200903018532055476

半導体装置の製造方法

発明者： 塩谷 喜美 ,  西本 裕子 ,  鈴木 智美 ,  大河原 昭司 ,  前田 和夫
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-161874
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142580
出願日： 2002年06月03日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 銅(Cu)配線層の突起の発生を防止してCuの拡散を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板40の上方に形成された銅(Cu)配線層44の表面をアンモニアガス、窒素と水素との混合ガス、CF4ガス、C2F6ガス及びNF3ガスの群から選択されるガスのプラズマに曝す工程と、銅(Cu)配線層44の表面をアンモニアガス、エチレンジアミンガス、β-ジケトンガス、アンモニアガスと炭化水素系ガス(CXHY)との混合ガス及び窒素ガスと炭化水素系ガス(CXHY)との混合ガスの群から選択されるガスの雰囲気又はプラズマに曝す工程と、銅(Cu)配線層44の上にCu拡散防止絶縁膜46を形成する工程とを有する

請求項（抜粋）：

半導体基板の上方に形成された銅(Cu)膜を主とする配線層上にシリコン含有絶縁膜を形成する工程と、前記シリコン含有絶縁膜を炭化水素系ガス(CXHY)の雰囲気又はプラズマに曝す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/88 M

Fターム (55件)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH31 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK31 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ60 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045CB05 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20 ,  5F058BA05 ,  5F058BC08 ,  5F058BE04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BG02 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-191804   出願人：富士通株式会社
• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-145734   出願人：株式会社リコー
• 配線構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-131182   出願人：東京エレクトロン株式会社