特許

J-GLOBAL ID：200903018533156349

結晶性薄膜形成方法および形成装置

発明者： 松室 昭仁 ,  久保山 剛 ,  真田 祐紀 ,  森野 大輔
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-226655
公開番号（公開出願番号）：特開2004-068058
出願日： 2002年08月02日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】各種の製品に形成される薄膜において、薄膜材料や薄膜形成条件に依存せずに、薄膜の残留応力が必要な望みの値になるように調整する手段の提供。【解決手段】基体表面に結晶性薄膜を物理蒸着法又は化学蒸着法により形成する方法において、該基体をピエゾ素子などで励振させて基体を縦振動させることにより薄膜の残留応力を縦振動をさせない場合の残留応力を基準値として、該基準値より引張応力側方向へ変化させることを特徴とする結晶性薄膜形成方法。残留応力の変化量は振幅で調整できる。ピエゾ素子の励振振幅は印加電圧に対応する。この薄膜形成方法は、金属薄膜や、酸化物、炭化物、窒化物などの金属化合物薄膜などの結晶性薄膜の形成法のいずれにも適用できる。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

基体表面に結晶性薄膜を物理蒸着法又は化学蒸着法により形成する方法において、 該基体を励振させて基体を縦振動させることにより薄膜の残留応力を縦振動をさせない場合の残留応力を基準値として、該基準値より引張応力側方向へ変化させることを特徴とする結晶性薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C14/54 ,  C23C16/44 ,  H01L41/22

FI (3件)：

C23C14/54 C ,  C23C16/44 A ,  H01L41/22 Z

Fターム (12件)：

4K029AA06 ,  4K029AA08 ,  4K029AA24 ,  4K029BA08 ,  4K029BA17 ,  4K029BB07 ,  4K029CA17 ,  4K029DB21 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030HA00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-067727
  
• 特開昭63-153265
  
• 特許第2898311号