特許
J-GLOBAL ID：200903018537279828
化合物半導体薄膜結晶の気相成長方法及びその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-289829
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148438
出願日： 1994年11月24日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】結晶成長条件を容易に最適化することができ、かつ結晶成長中に成長した結晶の膜厚をリアルタイムで検知することができるようにする。【構成】リアクタ2内に設置された基板1を含むサセプタ5の重量をロードセル6で検出できるようにする。このロードセル6で、原料ガスを流した時のサセプタ重量の揺らぎを検知すれば、サセプタ5に当たるガスの流れの様子を察知することができる。ガスの流れが乱流から層流になれば、流れが安定すると同時にサセプタ重量の揺らぎもおさまる。よって、ガスを流す条件を変えてサセプタ重量の揺らぎを測定し、揺らぎの小さくなる成長条件を探せば、最適条件を見つけることができる。成長条件が最適化されれば、基板1に成長する膜厚は均一になる。したがって、成長開始後のサセプタ重量の増加分から、成長した膜厚をリアルタイムで検知することができる。
請求項（抜粋）：
サセプタ上に載置して加熱状態とした基板に複数の原料ガスを送り込み、基板表面上でこれらの原料ガスを熱分解反応させて化合物半導体の薄膜結晶を気相成長させる方法において、基板を含むサセプタの重量を検出し、原料ガス流速等の結晶成長条件を変化させて重量信号の揺らぎが小さくなるような条件を選び、この条件にて結晶成長を行うことを特徴とする化合物半導体薄膜結晶の気相成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/12
, C30B 25/14
