特許

J-GLOBAL ID：200903018541104480

バリスタの製造方法

発明者： 小山 一茂 ,  若畑 康男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307691
公開番号（公開出願番号）：特開平10-149904
出願日： 1996年11月19日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 850〜1100°Cの温度でバリスタ素子1の焼成と電極2a,2bの形成を同時に行うことができるバリスタの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ZnOを主成分とし、副成分として少なくともBi2O3を0.2〜2.0mol%、Alを0.001〜0.02at.%、更にAg、Na、Kの群の中から選ばれた少なくとも一つの元素を、Al添加量との比が(Ag+Na+K)/Al≦1.0となるよう添加した組成のバリスタ素子1に電極2a,2bを塗布した後、850〜1100°Cの温度でバリスタ素子1と電極2a,2bを同時焼成する。

請求項（抜粋）：

ZnOを主成分とし、副成分として少なくともBiをBi2O3に換算して0.2〜2.0mol%、Alを0.001〜0.02at.%、更にAg、Na、Kの中から選択された少なくとも一つの元素を、Alとの比が(Ag+Na+K)/Al≦1.0となるよう添加した組成のバリスタ材料でバリスタ素子を形成後850〜1100°Cの温度で焼成するバリスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01C 7/10 ,  C04B 35/453

FI (2件)：

H01C 7/10 ,  C04B 35/00 Q

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-245602
  
• 特開昭60-057905
  
• 特開平4-245602
  
• 特開昭60-057905