特許
J-GLOBAL ID：200903018545873747
ウエーハ基板片面研摩方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-337964
公開番号（公開出願番号）：特開平6-155284
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年06月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は膜厚精度が2μm以下であり、 100mmφで厚さが10μmである極薄膜の研摩も可能であるウエーハ基板の片面研摩方法の提供を目的とするものである。【構成】 本発明のウエーハ基板片面研摩方法は、両面研摩機の上下定盤をとも擦りし、ウエーハ基板の研摩されない側の面に回転ホルダーを張りつけてこれを上下定盤に設置し、同一周期で回転させ、研摩することを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
両面研摩機を用いるウエーハ基板の片面研摩において、該両面研摩機の上下定盤をとも擦りし、ウエーハ基板の研摩されない側の面に回転ホルダーを張りつけてこれを上下定盤に設置し、同一周期で回転させ、研摩することを特徴とするウエーハ基板片面研摩方法。
IPC (2件)：
B24B 37/04
, H01L 21/304 321
