特許

J-GLOBAL ID：200903018552531347

絶縁膜の成膜方法

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-266787
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130245
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板1上に層間絶縁膜2、Al系配線3が形成されたウェハ上に、SH4 -NH3 混合ガス等の水を含まないガス系を用いたプラズマCVDにより、圧縮応力を有する第1の絶縁膜4を成膜した後、該第1の絶縁膜4上に、水およびTEOS等の有機シリコン化合物を含むガスと、N2 、NH3 、N2 H4 等の分子内に少なくともN原子を含むガスとの混合ガス系を用いたプラズマCVDによって第2の絶縁膜5を成膜して、積層層間絶縁膜6を形成する。【効果】 第2の絶縁膜5の引っ張り応力を第1の絶縁膜の圧縮応力で相殺できるため、積層層間絶縁膜6は優れたステップカバレージを維持しつつ、厚膜化してもクラックを生じないものとなる。このため、微細化・多層化した配線上を十分に平坦化でき、且つ十分な絶縁性を有するものとなり、半導体装置の信頼性および歩留まりを高めることも可能となる。

請求項（抜粋）：

基体上に圧縮応力を有する第1の絶縁膜を化学的気相成長法により成膜した後、水および有機シリコン化合物を含むガスと、分子内に少なくとも窒素原子を含むガスとの混合ガス系を用い、化学的気相成長法によって前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を成膜することを特徴とする絶縁膜の成膜方法。

IPC (6件)：

H01L 21/768 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318