特許

J-GLOBAL ID：200903018553222941

半導体不純物シミュレーション方法

発明者： 小林 岳史
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-359175
公開番号（公開出願番号）：特開平10-198710
出願日： 1996年12月28日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 昇温、降温過程等の実際の製造条件を効率よく拡散定数のパラメータに組み込み、不純物シミュレーションの精度を高める。【解決手段】 拡散定数を設定する工程では、温度依存性を示す第2のパラメータを一定にし(ST1) 、また大きさを示す第1のパラメータを変化させてシミュレーションし(ST2) 、その結果から最適な第1パラメータを見積もり(ST3) 、この第1のパラメータと一定にした第2のパラメータとから暫定的な拡散定数Dfix を決定する(ST5) 。つぎに、第2のパラメータを変化させ、また実測値を得たときの温度でDfix が維持できるように第1のパラメータを調整しながら(ST8)シミュレーションを行いう(ST6) 。その後、得られた複数の不純物分布データと実測値と比較し(ST7) 、最も再現性がよい不純物データから最適な拡散定数を設定する(ST9) 。

請求項（抜粋）：

不純物拡散の大きさを示す第1のパラメータと、不純物拡散の温度依存性を示す第2のパラメータとを有する拡散定数を設定し、当該拡散定数を用いて所定の物理方程式を解き、不純物分布データを作成する半導体不純物シミュレーション方法であって、前記拡散定数の設定は、前記第2のパラメータを一定にし、また前記第1のパラメータを変化させながら繰り返し所定の物理方程式を解き、その解いた結果から最も実測値に近い分布をとる第1パラメータを見積もり、当該見積もった第1のパラメータと前記一定にした第2のパラメータとから暫定的な拡散定数を決定する第1の工程と、前記2のパラメータを変化させ、また前記実測値を得た実際の製造工程での温度において前記暫定的な拡散定数が維持できるように前記第1のパラメータを調整しながら、繰り返し所定の物理方程式を解き、複数の不純物分布データを得る第2の工程と、前記複数の不純物分布データを前記実測値と比較し、最も再現性がよい不純物データを求め、当該最適な不純物データを得たときの拡散定数を設定する第3の工程と、を有する半導体不純物シミュレーション方法。

IPC (3件)：

G06F 17/50 ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

G06F 15/60 612 A ,  H01L 21/00 ,  G06F 15/60 666 S ,  H01L 21/265 Z