特許
J-GLOBAL ID：200903018555376911
シリコンウェ-ハを処理するための急速熱プロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247605
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091259
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウェーハ処理に用いられて所定厚みの熱酸化膜を生成させ、同時に無欠陥領域の深さおよび微小バルク欠陥密度(BMD)を調整するための急速熱プロセス(RTP)の開発を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハを処理するための急速熱プロセスはウェーハを制御された温度および制御されたプレアニール時間、酸化雰囲気中に雰囲気圧で曝露することで所定の無欠陥領域深さに対応する所定の目標の熱酸化膜を得ることを特徴とするプレアニール/酸化複合ステップから構成される。
請求項（抜粋）：
所定厚みの熱酸化膜を生成させ、同時に無欠陥領域の深さおよび微小バルク欠陥密度(BMD)を調整するためにシリコンウェーハ処理に用いられる急速熱処理プロセス(RTP)に使用されるプレアニール/酸化複合ステップにおいて、ウェーハを制御された温度および制御されたプレアニール時間、酸化雰囲気中に雰囲気圧で曝露することで所定の無欠陥領域深さに対応する所定の目標の熱酸化膜を得ることを含むことを特徴とする、シリコンウェーハ処理に用いられる急速熱処理プロセス(RTP)に使用されるプレアニール/酸化複合ステップ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/26 F
, H01L 21/322 Y
