特許
J-GLOBAL ID：200903018563571430
薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびに円筒キャン
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-084543
公開番号（公開出願番号）：特開平11-279765
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：
【要約】【課題】 耐摩耗特性などの膜特性を向上させる薄膜形成装置およびそれを用いた薄膜形成方法ならびに円筒キャンを提供する。【解決手段】 プラズマCVD装置1において、磁気テープなどの被処理体14を巻回支持して走行させる円筒キャン10の外周面に、セラミックスなどの絶縁層11と、絶縁層11上に銅およびアルミニウムの少なくともいずれか1種を含む導電層12とを形成する。【効果】 上記の薄膜形成装置を、磁気記録媒体の保護層の形成に適用すれば、形成される薄膜の均一性と膜特性の向上が図れる。
請求項（抜粋）：
真空槽と、前記真空槽中で、プラズマを発生させる手段と、前記真空槽へのガス導入手段と、前記真空槽中で被処理体を巻回支持して走行させる円筒キャンとを具備した薄膜形成装置において、前記円筒キャンが、前記円筒キャンの外周面に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導電層とを具備することを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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