特許
J-GLOBAL ID：200903018568148888
貫通孔加工方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-293131
公開番号（公開出願番号）：特開2001-115282
出願日： 1999年10月15日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：
【要約】【課題】貫通孔のジャストエッチング時点を容易且つ正確に検出できるドライエッチングの貫通孔加工方法を提供する。【解決手段】ヘリコン波エッチング装置でウェハ固定用のステージ18を冷やすと共にシリコンウェハ19とステージ18間に圧力を一定に制御した状態で冷媒ガスを送入してエッチング中のシリコンウェハ19の温度上昇を効果的に抑制する。冷媒ガスの圧力は流量コントローラ24及びAPC25により一定に維持する。シリコンウェハ19のいずれの吐出ノズルも未貫通のときは、シリコンウェハ19の外周部から流出する分を補充する流量は約9.4sccmで安定している。吐出ノズルが一部貫通し始めると流量は9.4〜9.7sccmまで急激に変化し、全吐出ノズルが貫通した以降では流量は約9.7sccmで安定する。この流量安定状態を検出し、その流量安定状態の始まりの時点をジャストエッチング時点とし、この時点から所定の期間をオーバーエッチング期間とする。
請求項（抜粋）：
加工対象物の裏面を一定の圧力で流動させる冷却媒体ガスにより冷却しながら前記裏面から表側に貫通させる貫通孔の少なくとも表側の一部をドライエッチングにより加工する貫通孔加工方法であって、前記冷却媒体ガスの時間当たり流量の変化から、前記ドライエッチングによる加工により前記貫通孔が貫通したジャストエッチング時点を検出することを特徴とする貫通孔加工方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23F 4/00 A
, B41J 3/04 103 N
2C057AF91
, 2C057AF93
, 2C057AG12
, 2C057AG83
, 2C057AP02
, 2C057AP13
, 2C057AP22
, 2C057AP25
, 2C057AP32
, 2C057AP33
, 2C057AP52
, 2C057AP56
, 2C057AP90
, 2C057AQ02
, 2C057AQ03
, 4K057DA12
, 4K057DA14
, 4K057DB11
, 4K057DB15
, 4K057DB17
, 4K057DD01
, 4K057DJ10
, 4K057DN01
