特許
J-GLOBAL ID：200903018570951230
多層配線セラミック基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186420
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037454
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】通常のセラミック材料を使用してもその誘電体部の持つ実効比誘電率を小とすることが可能でかつ機械的耐力が大なる多層配線セラミック基板を提供する。【構成】第2のセラミック基盤と第3のセラミック基板にこれら基板の広幅面に垂直な実を持つスルーホール2を適切な間隔で設けておく。上述の大部分のスルーホール2の内部に揮発性のペーストを充填しておき、第1から第4までのセラミック基板1Aから1Dをこの順に積層しておき、加熱し前記揮発性ペーストを外部4へ揮発させ、図3で示されている、中空部8A〜8Bを形成させ、地導体6B、6Cおよびこの地導体6Aの間に介在するセラミック基板の実効比誘電率を低下させる。
請求項（抜粋）：
それぞれセラミックスの微粉末とバインダから成る平板状の第1の基板の所望の複数の互いに異る広幅面上の位置に前記第1の平板の広幅面と垂直な第1のスルーホールを設け、前記第1の平板と同一材料から構成される第2と第3の平板の広幅面にこの広幅面と直交し前記第1のスルーホールの延長上に位置する所に前記第1のスルーホールと同一口径の複数の第2のスルーホールを設ける工程と、前記第2と第3の平板には前記第2のスーホールの中間に前記第2のスルーホールと平行な軸方向を持つ第3のスルーホールを設ける工程と、前記第1のスルーホールおよび前記第2の平板上にあり前記第1のスルーホールの延長上に位置する前記第2のスルーホールに金属ペーストを充填する工程と、前記以外の第2のスルーホールと前記第3のスルーホールには揮発性のペーストを充填する工程と、前記第2の平板の下方の広幅面で前記第1のスルーホールの間の部分に前記第1のスルーホールに接続しない地導体を前記広幅面上に金属製ペーストの塗布により形成する工程と、また、前記第1の平板の下方の広幅面あるいは前記第3の平板の上方の広幅面の少なくとも何れか一方で前記第1のスルーホールの延長上に位置するスルーホールを含む近傍に第1の地導体を金属ペーストの塗布により形成させる工程と、前記第1の平板と同一の材料で構成される第4の平板の上方の広幅面で前記第1の地導体のすべてと前記第2と第3の平板を介して対向する部分に金属製ペーストの塗布により第2の地導体を形成させる工程と、前記第1の平板の下面の広幅面に前記第2の平板の上方広幅面を接せしめ、かつ、前記第2の平板の下方の広幅面に前記第3の平板の上方の広幅面を接せしめ、前記第3の平板の下方の広幅面を前記第4の平板の上方の広幅面に接せしめ、前記第1のスルーホールの延長上に前記該当すべき第2のスルーホールが位置するように、また、第4の平板に設けられた第2の地導体が前記第1の地導体と前記第2と第3の平板を介して対面するように配置し、前記第1から第4までの平板の互いに対面する広幅面同志が圧着されるように外力を加えて圧着せしめつつ加熱し焼成する工程とを含むことを特徴とする多層配線セラミック基板の製造方法。
IPC (2件)：
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