特許
J-GLOBAL ID：200903018576546477
半導体光検出器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250726
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077517
出願日： 1992年08月26日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 偏光選択機能を有する半導体光検出器を得る。【構成】 InP基板1上にGaAs/InAsの量子細線周期構造よりなる偏光選択層7、n型不純物添加されたInP層2、不純物添加されていないInGsAs層3、p型に不純物添加されたInGsAs層4、AuZn金属電極5を形成する。全ての層を形成した後、n型InP層2までメサエッチした後、n型InP層2上にAuGeNi金属電極6を形成する。偏光選択層7の量子細線構造は透過率に偏光依存性を持っている。入力信号光の波長に偏光選択層7の偏光依存性が大きい波長を合わせることによって、半導体光検出器の受光光の偏光方向を特定できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成したp型半導体とn型半導体で構成されたpn接合を有する半導体光検出器において、前記pn接合の光入射面側に、第1の禁制帯幅の半導体細線と前記第1の禁制帯幅の半導体細線より広い第2の禁制帯幅を持つ半導体細線とからなる周期構造を有し、前記周期構造が面内方向において量子効果を生ずる程度の周期を持つことを特徴とする半導体光検出器。
IPC (3件)：
H01L 31/10
, G01J 1/02
, G01J 4/04
H01L 31/10 A
, H01L 31/10 Z
