特許

J-GLOBAL ID：200903018581701448

表面処理装置

発明者： 山本 健一 ,  二宮 健
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-225444
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086240
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【構成】超高真空に排気された反応管1内に、H2 ガスを導入し、Wフィラメント4を1800°Cまで通電加熱すると、H2 分子が解離し原子状水素Hが発生する。H原子とHFガスを、試料台6に設置された自然酸化膜をもつSiウェハ8に照射する。Si酸化膜は、HFガスによってエッチングされる。Si酸化膜のエッチングが終わると、Si表面はHおよびFで終端される。【効果】乾式で自然酸化膜を効率よく除去でき、Siウェハ表面を水素終端できるので、酸化,汚染に強く、しかも残留F量の少ない表面が得られる。

請求項（抜粋）：

試料台,ガス導入手段,排気手段を有する反応室で、前記試料台に設置された試料表面上の酸化膜を除去する表面処理装置において、前記ガス導入手段として原子状水素または水素プラズマ導入手段に加えて、気体状フッ化水素または原子状フッ素または分子状フッ素導入手段を設けたことを特徴とする表面処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N